重生之科技致富手册

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367.助攻3D晶体管研究,再获一员大将(3合1)

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第381章367.助攻3d晶体管研究,再获一员大将

赵德彬在得州停留了三两晚,便返回了硅谷。

这次过来邀请张孺京还是很顺利的,回程的时候,赵德彬包里已经装着了张孺京签好字的合同。

在赵德彬离开这,张孺京向得州仪器提交了辞呈,并与总裁面谈过了。

张孺京现在的地位已经很高了,纵使是辞了职,也不是一两就能离开的,还需要一到两个月的时间做交接。

赵德彬能看得出来,张孺京是铁了心要回国。

临走前,张孺京把珍藏多年的硕士毕业论文送给了赵德彬:

“这篇论文是我在1973年写的,距离现在已经有18年了。

它是我非常珍贵的回忆,这么多年,我一直将它带在身边,它见证了我每一步的成长。

今,我将它送给赵先生留作纪念,感谢赵先生给了我这次回国的机会。”

通过张孺京,赵德彬还认识了加州大学伯克立分校的华裔校长田长林先生,并与田长林约定在回到加州后见上一面。

张孺京的硕士是在新乡州立大学读的,他的导师是一位名叫戴维·本南森的犹太教授,由于张孺京是留学生,各项费用都比较高,导师热心地帮他申请了奖学金,并且让张孺京担任自己的研究助理,帮助张孺京解决了生活来源问题。

当时,张孺京和导师经常要做实验,由于学校只允许他们在晚九点以后使用电脑,以至于实验经常做到凌晨,第二,张孺京会和导师一起研究实验数据。

因为实验比较复杂,有时,一些数据会让张孺京和导师感到疑惑,每当这个时候,导师就会给在伯克立当教授的田长林打电话请教。

在多次的请教过程中,张孺京和田长林也渐渐熟悉了起来,田长林对张孺京学业的帮助很大,算得上是张孺京的半个导师,在此后的多年间,张孺京和田长林一直保持着联系。

5月21日,回到硅谷的第二,赵德彬、张思明、凯茜带着翻译驱车前往加州大学伯克立分校。

伯克立分校的世界排名一直在前20到前30之间,在丑国国内的排名也在十多名左右,是丑国常青藤联盟以外的其他顶尖学府之一。

由于伯克立分校就在三藩市湾区这边,所以为硅谷输送了很多科技人才,与80公里以外的斯坦佛并称“硅谷双雄”。

在校长办公室中,赵德彬中见到了田长林。

田长林今年56岁,是一位谦和有礼的学者。

来之前,赵德彬专门了解过田长林的经历,以免见了面还不清楚人家是谁,然后,赵德彬就知晓了,这位绝对是个狠人。

田长林出生在午汉,14岁时到了琉球,从到大一路在最好的学校考第一,只用了一年半就拿到了博士学位,是国际上研究工程热物理的权威。

去年,田长林从258名候选人中脱颖而出,成为丑国有史以来第一位亚裔大学校长,也是第一位亚裔世界名校校长。

田长林对赵德彬的来访非常热情,他用带着午汉口音的普通话与众人交流。

在听到张孺京要回到中夏发展半导体行业,田长林非常高兴:

“真是太好了,可惜我是研究热传递的,帮不上你们的忙,不然我也想出一份力。

不过,我们学校有一位相关领域的专家,赵先生你一定要见见他。”

田长林向赵德彬介绍的,正是芯片领域大名鼎鼎的胡正铭教授。

赵德彬在后世就听过胡正铭的大名,当然,搞芯片相关行业的应该很难不知道胡正铭。

胡正铭是半导体行业的巨佬,被称为“3d晶体管之父”。

他最着名的研究成果,是在1999年发明的“3d晶体管”,这项发明被看做是50多年来半导体技术的最大转变,FinFEt晶体管取代了行业过去50年一直在使用的cmoS晶体管。

在此之前,芯片还是2d造物,只在同一个平面上设计和集成电路。

摩尔定律称:大约每经过18个月到24个月,集成电路上可以容纳的晶体管数目便会增加一倍。

摩尔定律是60年代提出的,技术基础是平面工艺。

一开始,摩尔定律是没毛病的,因为芯片有足够大的地方放晶体管。

然而,就这么两年翻一番,持续翻了好几十年,到了九十年代,摩尔定律就开始不顶用了,因为每翻一番增加的都是文数字的晶体管,芯片上没有那么大的地方放。

眼看着半导体行业发展到了一个瓶颈,不解决的话就没办法制造出更高赌芯片,整个行业可能都要没戏唱了。

那段时间,不仅是因特尔、Icm等半导体巨头急得头秃,丑国更是急得上蹿下跳,到处求爹爹告奶奶找人解决这个问题,正府更是砸下重金,启动了一个名为“25纳米开关”的计划,以期提升芯片容纳晶体管数目的上限。

然而,纵是丑国召集了一大批英雄好汉,各路精英也对这个难题束手无策。

当时,业内公认的法是:35纳米是摩尔定律的尽头,想要把半导体元件做到25纳米以下是不现实的。

就在这个紧要关头,胡正铭提出了一个方案,将芯片立体化,把扁平宽的晶体管结构变成了高而窄的晶体管结构,如此一来芯片的容量提高了400倍,可以继续集成下去。

胡正明团队提出的晶体管数学模型,成为了芯片设计的第一个,而且是唯一的一个国际标准。

1999年,胡正铭团队又研发出了“鳍式场效应晶体管”,凿穿了半导体行业35纳米的花板,一举奠定了接下来三十年的芯片制造的基础,给摩尔定律又续命了好几十年。

在后世,胡正铭的发明被广泛用在手机等消费电子产品上,14纳米、7纳米、5纳米、3纳米制程的芯片都依仗着FinFEt技术。

此时是1991年,胡正铭正在伯克立分校担任教授,虽然还未提出FinFEt技术,但他已经率领团队研究出了可靠性工具bERt和晶体管模型bSIm,这些技术为FinFEt奠定了基础。

在实验室中,赵德彬见到了这位半导体行业的巨溃

在交谈中,赵德彬了解到,胡正铭今年44岁,在中夏国都出生,后来跟随家冉了琉球生活,73年在伯克立分校获得了博士学位,然后一直从事半导体器件的开发及微型化研究。

听闻赵德彬将在洪港开设代工厂,并在内地建立芯片设计机构,胡正铭沉吟片刻,随后直率地道:

“赵先生,得知你要在国内发展芯片产业,我是非常高心,我很希望我能出一份力。

但是,我目前正在率领团队研究芯片在25纳米程制以下的漏电问题,实在脱不开身,没有办法回国助你一臂之力。

实不相瞒,湾积电的莫里斯·张已经找过我好几次,邀请我到湾积电去,但都被我婉拒了。”

胡正铭的回答在赵德彬的意料之内,他的研究确实只有在丑国才有条件完成。

前世,胡正铭在1999年发布了FinFEt晶体管,在2001才加入了湾积电担任cto,并在三年之后再次返回学校教书。

由此看来,在胡正铭的研究没有完成前,他是不会离开学校的。

虽然胡正铭只在湾积电待了短短三年,但他为湾积电做出了极大的贡献,湾积电正是靠着胡正铭和梁梦松师徒两人,才在技术上压了Icm一头,坐上了国际晶圆代工的老大位置。

赵德彬的算盘打得噼啪作响:师父胡正铭暂时不来没事,能把徒弟梁梦松拉过来也是好的。

所以,赵德彬准备和胡正铭搞好关系。

赵德彬虚心地请教:“不知道胡教授现在的研究课题是什么?”

“是这样的,目前,半导体行业内的共识是,半导体制程工艺做到25纳米时将出现瓶颈,如果制造技术没有突破,很难再继续向下集成。

这是因为,当晶体管达到一定数量后,会产生漏电问题,功耗会变得非常高。”

芯片之所以叫集成电路,是因为芯片运行靠的是无数个极其微的开关电路不停地通电、断电,来进行二进制运算。

在芯片地方足够大的时候,这些开关能施展得开,不会互相影响,但是,当晶体管的数量越来越多,一个个开关开始挤在一起之后,就会产生漏电的问题。

赵德彬搞了许多年的芯片,对胡正铭的FinFEt技术也好奇地围观过,对以技术拉近关系这事非常有信心。

赵德彬点点头:“我知道了,这被称为‘短沟道效应’,随着单个电路所占的面积减,其内部隔绝电子流动的沟道也会缩短,造成漏电,干扰芯片内部的运算。”

打个比方,这就相当于在自家院子里跑步,当院子足够大的时候,在里面腾云驾雾都没事,但当院子变得很且密集的时候,随便一伸jiojio就到了隔壁邻居家院子了。

“短沟道效应”一出,表明赵德彬是懂行的,胡正铭立刻来了兴致,恰好众人正在实验室中,他拿着模型对着赵德彬演示道:

“目前,我们团队的解决思路是制造一种非常细的传导管道,防止电子通过栅极。

我们最近的方案是通过减栅极的氧化层厚度来达到目的,但在前段时间失败了。”

赵德彬思索着道:

“胡教授,我觉得这个方案是行不通的。

氧化层的厚度很难把握,如果过于薄了,电子可能会穿过氧化层,进入硅衬底,这会造成另一种泄漏。”

听到赵德彬的话,胡正铭精神一振:“没想到赵先生年纪轻轻,竟有如茨学识!”

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